氮化鎵半導體器件市場強勁增長

  • 光半導體器件類型的全球氮化鎵半導體器件市場佔有最大的市場份額。
  • 基於氮化鎵的功率驅動器市場預計在預測期內將顯著增長。
  • 預計在預測期內,亞太地區將佔據氮化鎵半導體器件市場的最大份額。

氮化鎵半導體器件市場 預計22.47在預測期內將以2023%的複合年增長率達到4.6億美元。

GaN RF半導體器件在軍事,國防和航空航天應用中的越來越多的採用

在軍事,國防和航空航天應用中射頻功率的日益使用,成為氮化鎵半導體器件市場增長的動力。 航空電子和雷達系統中RF功率器件的使用推動了全球軍事,國防和航空航天應用對GaN RF半導體器件的需求。

2015年650月,M / A-COM Technology Solutions Inc.在L波段脈衝航空電子應用中推出了在碳化矽高電子遷移率晶體管(HEMT)上的2015 W GaN。 預計使用GaN開發新產品和先進產品將有助於氮化鎵半導體器件市場的增長。 2015年3月,Qorvo,Inc.推出了一系列GaN功率放大器,它們具有更高的效率,增益和功率性能,適用於軍事衛星和商用VSAT應用。 XNUMX年XNUMX月,該公司推出了XNUMX種新型塑料封裝的高度可靠和緊湊的GaN RF晶體管,用於民用航海,機載和基礎設施雷達系統。

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SiC在高壓半導體應用中的競爭日益激烈

自2001年碳化矽(Sic)功率半導體器件在商業級別推出以來,一直在嘗試通過替代純矽在全球範圍內打入功率半導體器件市場。 這些器件在功率整流,功率因數校正,功率放大和功率傳輸方面提供了改進的功率效率和先進的功率處理能力。 在高電壓範圍的應用中,就其功率效率和性能而言,SiC半導體器件比GaN同類器件是最佳選擇。

例如,在中壓和高壓之間的邊界線電壓範圍從700V到1,200V,GaN器件的效率大大降低。 因此,在電力應用中,SiC功率半導體器件相對於GaN功率半導體器件的偏愛成為了氮化鎵半導體器件市場增長的製約因素。

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